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ROHM开发出1mm见方超小型车载MOSFET

发布日期:2020-09-29 16:57   来源:未知   阅读:

  提升散热性与安装可靠性,非常适用于日益高密度化的车载ECU和ADAS相关设备

  新产品采用融入ROHM自有工艺方法的Wettable Flank成型技术※2,以1.0mm×1.0mm的尺寸,保证了封装侧面电极部分125μm的高度,属于业内较高水平。经自动光学检查(以下简称“AOI”※3),在追求品质的车载相关设备上安装重要元器件后会实施该检查)确认,实现了非常出色的焊接可靠性。另外,通常小型化和高散热性之间存在着矛盾权衡关系,采用底部电极结构的新封装同时兼顾了小型化与高散热性,非常适用于电路板高密度化的车载ECU和,驾驶辅助系统(ADAS)等相关设备。

  新产品已于2020年9月开始暂以月产10万个的规模投入量产(样品价格:100日元/个,不含税)。

  近年来,随着汽车电子化进程的加速,一台汽车中使用的电子元器件和半导体元器件数量呈增多趋势。因此,需要在有限的空间里安装更多的元器件,安装密度越来越高。例如,1个车载ECU中的半导体和积层陶瓷电容器的平均搭载数量,预计到2025年将从2019年的186个※增加至230个※,增加近3成。为了满足安装密度越来越高的车载应用的需求,市场对小型化的要求也越来越高,因此能够兼顾小型和高散热性的底部电极封装形式开始受到青睐。

  另一方面,对于车载元器件,为确保可靠性,虽然会在安装元器件后实施AOI,但由于底部电极封装只在底部有电极,故无法确认焊接状态,进行车载标准的AOI有一定难度。

  新产品采用ROHM自有的Wettable Flank成型技术,成功解决了这一课题,并实现了车载用超小型MOSFET,得到了越来越多的汽车领域制造商的青睐。未来,不仅在MOSFET领域,ROHM 也会在双极晶体管和二极管领域的产品阵容进行不断扩充。

  1. 利用融入ROHM自有工艺方法的Wettable Flank成型技术,保证封装侧面电极部分125μm的高度

  采用传统技术的底部电极封装,因其无法在引线框架侧面进行电镀加工,无法确保车载所需的焊料高度,难以实施AOI。新产品采用ROHM自有的 Wettable Flank成型技术, 实现达到引线框架上限的电镀加工,以1.0mm×1.0mm的尺寸,保证封装侧面电极部分高度达125μm。即使是底部电极封装,也可实现稳定的焊接圆角,通过元器件安装后的AOI可切实确认焊接状态。

  新产品尺寸仅为1.0mm×1.0mm(DFN1010封装),却实现了与2.9mm×2.4mm尺寸(SOT-23封装)同等的性能,可削减安装面积达85%左右。不仅如此,通过采用散热性能优异的底部电极,与SOT-23封装相比,可将通常因体积缩小而降低的散热性提高65%。新产品兼顾了小型化与高散热性,非常适用于随功能增加,电路板日益高密度化的车载ECU和ADAS相关设备等应用。

  AEC是Automotive Electronics Council的缩写,是大型汽车制造商和美国大型电子元器件制造商联手制定的汽车电子元器件的可靠性标准。Q101是专门针对分立半导体元器件(晶体管、二极管等)制定的标准。

  在QFN和DFN等底部电极封装的引线框架侧面进行电镀加工的技术。可提高焊接可靠性。

  通过摄像头扫描安装电路板,自动检查元器件缺失、品质缺陷及焊接状态等情况。

  的企业,为提高客户产品实力、客户业务发展以及中国的节能环保事业做出积极贡献。

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